随着家用电器、智能制造和节能减排等行业，对半导体器件性能要求日益提高，需求器件有更好的稳定性、更高的耐压性、更大的载流、更小的能源损耗、更高的工作频率、更好的散热性等，因此，以碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料发展受到重视，美国、欧盟、日本、俄罗斯和韩国等国家，把碳化硅、氮化嫁等第三代半导体材料发展提高到国家战略层面。

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料是宽禁带半导体材料，有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点，适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。其可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且其拥有体积小、污染少、运行损耗低等经济和环保效益。

第三代半导体材料主要应在5G行业、汽车行业、智能制造、家用电器、军工电器件等。目前全球对第三代半导体材料的需求非常旺盛，但产能严重不足，国内主要依赖进口。

2018年北京高威科电气技术有限公司开始和某国家级材料研究所共同开发碳化硅生长炉。生长炉以三菱PLC为控制核心，采用物理气相输运（PVT）法进行长晶研究。经过两年的研究，目前可以稳定生长6英寸或4英寸碳化硅圆晶.，碳化硅圆晶的质量得到相关专家的一致肯定 。